La región saturada es más complicada de lo que se muestra en ese diagrama. El comentario de CL dice que 'en realidad disminuye un poco', lo cual es cierto para voltajes básicos bajos, pero luego a un voltaje base más alto vuelve a subir.
La caída inicial de la tensión de "saturación" es donde va de la saturación "suave" a la saturación "dura". No hay una distinción bien definida entre estos dos, es simplemente la proporción de colector a base de corriente. A medida que la relación cae por debajo de hFE, la saturación se vuelve "más dura" y la tensión de saturación cae un poco más.
Como el diagrama se ha dibujado con líneas rectas, podemos suponer que el ejercicio le está pidiendo que ignore esta característica del transistor y que trate la saturación como si ocurriera a un voltaje base único, en lugar de borrarse un poco como discutido anteriormente.
A medida que la tensión de base aumenta más, la corriente de base aumenta aún más. El diodo del emisor de base ahora está completamente encendido, y la resistencia residual del emisor está limitando la corriente del emisor de base. La corriente a través de la resistencia del emisor eleva el voltaje del emisor, y con él el voltaje del colector, como se muestra aproximadamente en el gráfico.
Debo decir que me parece un poco extraño mostrar una línea recta ascendente. El modelo 'ideal' más simple es una línea recta y plana. Si vamos a incluir una mayor precisión, entonces creo que sería apropiado incluir tanto la caída como la subida. Sin embargo, la gráfica en el ejercicio ha mostrado solo un aumento, y esa es la pregunta que se te pide que contestes. Supongo que el modelo se puede ampliar mediante la adición de una resistencia de emisor lineal simple para explicar este efecto. Sin embargo, la caída antes tiene una física más complicada. Supongo que esta pregunta se hizo después de una presentación sobre modelos de transistores.