Estoy estudiando Solid State Electronics (no puedo aprovechar mucho), pero estaba divagando cuál es la diferencia entre carga espacial y agotamiento en un diodo o en un BJT o en un MOSFET. ¿Son la misma cosa? Si no, ¿puede dar un ejemplo de cómo se forma la región de carga espacial?
Cada región de agotamiento puede denominarse región de carga espacial, pero no todas las regiones de carga espacial se forman debido al agotamiento.
Región de carga espacial = hay alguna área de superficie o volumen donde la integral de carga no es cero. En otras palabras, hay algún cargo neto presente en esta área o volumen. Las regiones de carga espacial pueden formarse debido a varios efectos, incluido el efecto de agotamiento.
Sin embargo, en la literatura sobre física de semiconductores, la región de carga espacial generalmente se refiere a la región de agotamiento (no recuerdo haber visto ninguna excepción).
Por cierto, es una buena pregunta: muestra que realmente estás tratando de entender el significado físico de estos términos.
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