¿El BJT conectado en el emisor de base tiene el mismo voltaje incorporado que el BJT conectado en el colector de la base? ¿Por qué o por qué no?
¿El BJT conectado en el emisor de base tiene el mismo voltaje incorporado que el BJT conectado en el colector de la base? ¿Por qué o por qué no?
No, el voltaje incorporado de las uniones del colector de base (BC) y del emisor de base (BE) normalmente no será el mismo. El potencial incorporado de una unión P-N está determinado por la ecuación:
Vbi = kT / q * ln (Nd * Na / (ni * ni))
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Vbi es el voltaje incorporado. Nd es la concentración del donante, Na es la concentración del aceptor ni es la concentración del portador de carga intrínseca de silicio, k es la constante de Boltzman, T es la temperatura en grados Kelvin yq es la carga de un electrón.
Entonces, asumiendo una temperatura constante, el voltaje incorporado está determinado por los niveles de dopante en las dos regiones de silicio (P y N). Normalmente, creo que el emisor estará más drogado. Por lo tanto, el voltaje incorporado de las uniones BE y BC normalmente no será el mismo.