¿Cuál es la forma de elegir una resistencia para una base de transistor NPN?
Quiero usar P2N2222A como interruptor, en un diseño como se muestra a continuación. Cuando tengo voltaje en la base (1.8 V), quiero que se cree una conexión entre NODE1 y tierra.
Si desea conducir hasta 150 mA de corriente entre el nodo 1 y tierra y solo baja 1.0V (no es un interruptor perfecto), deberá asumir que la ganancia actual es generalmente de 50. Si desea una saturación más baja el voltaje entonces las hojas de especificaciones dicen que alimenta la base con 15 mA, es decir, la ganancia de corriente ha bajado a solo 10, pero la saturación solo será de 0.3V.
Suponiendo que esté satisfecho con 150 mA mientras satura el transistor a aproximadamente 1 V, debe ingresar \ $ \ dfrac {150mA} {50} = 3mA \ $ en la base.
La tensión de base necesitará aproximadamente 0.7V, por lo que el resto (1.8V - 0.7V) debe estar a través de la resistencia R1. La ley de ohmios nos dice que R = \ $ \ dfrac {1.1V} {3mA} = 366.7 \ Omega \ $.
Así que elige tal vez una resistencia de 360 ohmios.
Si esto no es lo suficientemente bueno para sus necesidades, busque un MOSFET de canal N con \ $ V_ {GS (umbral)} \ $ - algo como 1V o menos.
Hay una regla general para hacer que la resistencia de base sea tal que la corriente de base sea un buen múltiplo (5, 10?) de la corriente de base mínima necesaria para poner el BJT en saturación. Puede obtener esto de las hojas de datos. .
Necesitas saber \ $ V_ {BE (sat)} \ $ - pero eso también está en las hojas de datos. Probablemente sea seguro asumir 0.7 V para la mayoría de los BJT de NPN de señal pequeña.
Una vez que sepa el voltaje a través de la resistencia y la corriente a través de él, la ley de Ohmios le dirá la respuesta.
Lea otras preguntas en las etiquetas transistors resistors bjt npn