¿Cuál es el problema con FRAM?

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Después de adquirir recientemente un Launchpad MSP430, he estado jugando con varios proyectos de microcontroladores. Desafortunadamente, el MSP430G2553 solo tiene 512 bytes de RAM, por lo que hacer algo complejo requiere almacenamiento externo.

Después de ver los chips SRAM y EEPROM SPI e I2C, descubrí FRAM .

Se ve perfecto. Disponible en tamaños grandes (el que está vinculado arriba es una parte de 2Mb), bajo consumo de energía, byte direccionable y programable, no volátil, sin problemas de desgaste, sin necesidad de borrar explícitamente nada, y en realidad más barato que el SRAM serial (en comparación con las partes de Microchip).

De hecho, parece demasiado perfecto, y eso me hace sospechar. Si esto es mucho mejor que SRAM serie y EEPROM flash, ¿por qué no está en todas partes? ¿Debo seguir con SRAM o es FRAM una buena opción para la experimentación?

    
pregunta David Given

3 respuestas

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Por lo que puedo ver, la diferencia (principal) entre él y SRAM es que es más lenta, y la diferencia entre él y EEPROM es que es más costosa.
Yo diría que es una especie de "en medio" ambos.

Siendo una tecnología bastante nueva, esperaría que el precio bajara un poco en el próximo año o así, siempre que se vuelva lo suficientemente popular. Aunque no es tan rápida como la SRAM, la velocidad no es mala en absoluto, y debería ser adecuada para muchas aplicaciones. Puedo ver una opción de tiempo de acceso de 60 ns en Farnell (en comparación con un mínimo de 3,4 ns con SRAM).

Esto me recuerda que ordené algunas muestras de Ramtron F-RAM hace un tiempo, todavía no he podido probarlas ...

    
respondido por el Oli Glaser
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FRAM es genial, sin embargo, la tecnología tiene lecturas destructivas. La tecnología flash tiene ciclos de escritura / borrado limitados, pero los ciclos de lectura son casi ilimitados.

En FRAM, cada ciclo de lectura afecta a la memoria y comienza a degradarse. TI afirma que han descubierto que el FRAM tiene "resistencia libre de desgaste a 5.4 × 10 ^ 13 ciclos y una retención de datos equivalente a 10 años a 85 ° C". Después de algunos cálculos, esto resulta en alrededor de 2 años de ciclos de lectura constantes (sin tener en cuenta el ECC).

La realidad es que para la mayoría de las aplicaciones de baja potencia, donde los ciclos de trabajo son bajos, esto no es un problema. Deberá evaluarlo para su aplicación específica.

El límite de velocidad también está presente, por lo que los estados de espera se agregarán si es necesario. Sin embargo, una solución es cargar código en la RAM, ejecutarlo desde allí (evitando los ciclos en el FRAM) y evitando el límite de velocidad.

Hubo una publicación de E2E sobre el tema aquí que discutimos algunas de las ramificaciones.

Una buena nota de aplicación de TI sobre cuáles son las ventajas de FRAM en cuanto a seguridad es Aquí

    
respondido por el Gustavo Litovsky
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El único problema real con FRAM es que para las partes realmente densas, la parte del mercado que impulsa el volumen y el margen, aún no pueden competir en densidad (que es una cuestión de rendimiento o de tamaño, no lo hace realmente importa cual). Para las partes más pequeñas (es decir, que compiten con una versión anterior de la misma tecnología) lo hacen bien.

Así que sí, es un buen ajuste para la experimentación siempre y cuando permanezcas en partes del mismo tamaño.

    
respondido por el placeholder

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