Una capacitancia es el resultado de un campo entre dos placas.
Para el MOSCAP en agotamiento, la primera placa es la puerta y la segunda el grueso. Tan pronto como el transistor entra en inversión, un canal se forma y actúa como una tercera placa.
Dado que el canal está entre la puerta y el volumen, las líneas de campo que se originan en la puerta terminarán en el canal. El volumen se protege de manera efectiva y, en lugar de una capacitancia de puerta en bloque, se ve una capacidad de canal de puerta.
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