MOSFET como interruptores en una región no óhmica

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Tengo un proyecto en el que tengo que "cerrar un interruptor digital" usando una fuente de 5V o de 3.3V. La carga será a 12 V, con una corriente requerida de alrededor de 200 mA.

Como novato, pensé en usar un MOSFET de canal N como el FQP30N06L hoja de datos .

Mientras que el transistor en realidad me proporcionará más que suficiente corriente, según la hoja de datos, ya sea a 3.3V o 5V, estaré en la región de saturación y no en la región óhmica.

Pensé que estaba de acuerdo con eso, pero al leerlo descubrí que debería estar en la región óhmica para usar el MOSFET como interruptor.

¿Por qué? Además: ¿cuáles son las desventajas de mi configuración (es decir, cambio en la región de saturación) ?

    
pregunta Moriambar

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El interruptor ideal tiene resistencia infinita cuando está apagado y resistencia 0 cuando está encendido. Cuando se utiliza un MOSFET como interruptor, desea que se vea con la mayor resistencia posible a 0 cuando está activado. Esto sucede cuando la pieza se está impulsando con fuerza, lo que está en la región óhmica.

Sin embargo, no te cuelgues de las etiquetas. Mire la hoja de datos y vea qué resistencia máxima está garantizada para qué voltaje de compuerta mínimo. Si puede suministrar el voltaje de la compuerta y esa resistencia de encendido es aceptable, entonces continúe y use ese FET.

Si hubiera proporcionado un enlace a la hoja de datos de su FET, podría haber comentado sobre su idoneidad para su problema. Mi FET de jellybean para tales propósitos es el IRLML2502.

    
respondido por el Olin Lathrop

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