MOSFET de 3 pines: tipo P o N?

Suponiendo que es un mejora MOSFET (el más común):

Si se vuelve conductivo, si el voltaje de la compuerta es un poco más alto que el voltaje de fuente o drenaje, es un N-MOSFET.

Si se vuelve conductora, si el voltaje de la compuerta es un poco más bajo que la fuente o el voltaje de drenaje, es un P-MOSFET.

Es muy probable que haya un diodo de protección interno (solo hay muy pocos MOSFET sin ellos; al menos, si es un MOSFET de potencia). Puede usarlo para averiguar qué pin es la fuente y cuál es el drenaje:
P-MOSFET: el ánodo está conectado al drenaje, el cátodo está conectado a la fuente
N-MOSFET: el ánodo está conectado a la fuente, el cátodo está conectado al drenaje.

Mida la polaridad del diodo del cuerpo (entre los dos pines que no están en la puerta). El cátodo es el drenaje de un canal n o la fuente de un canal p.

Aplique una tensión positiva moderada (por ejemplo, 8 V) con un LED en serie y una resistencia al cátodo con el ánodo conectado a tierra.

Ata la puerta al cátodo. Si el LED se enciende en su canal n, si está apagado, entonces es un canal p.

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

(Esto suponiendo que solo puede ser un MOSFET de modo de mejora de canal p o n, si puede ser un JFET o un tipo de agotamiento u otro tipo de nuevo, entonces serán necesarias otras pruebas).

Con el número de pieza, puede encontrar fácilmente una hoja de datos en línea que le dará más información de la que probablemente necesitará.

Un FET de canal n se enciende a medida que el voltaje de la compuerta se vuelve más positivo. Un FET de canal p se enciende cuando la puerta se vuelve más negativa.

Muchos FET comunes tienen un diodo interno entre la fuente y el drenaje (cuerpo conectado a la fuente), por lo que puede determinar la fuente frente al drenaje utilizando la polaridad que produce menos corriente.

Se aplica un pequeño voltaje (quizás un voltio) entre la fuente y el drenaje (elija los terminales arbitrariamente), cambie el voltaje de la compuerta a -1 y luego a 1 voltio. Si no ve una diferencia, intente usar voltajes ligeramente más altos. El FET probablemente estará operando en la región por debajo del umbral, por lo que las corrientes pueden ser MUY pequeñas (nanoamperios a microamperios). Tenga en cuenta que, a temperatura ambiente, la corriente de sub retención en un buen MOSFET debe aumentar 10 veces por cada aproximadamente 70 mV de cambio de voltaje de la compuerta. Si el voltaje de la compuerta positiva permite una corriente más alta, entonces es un n-FET.