¿Cómo eliminar el encendido del timbre / exceso en la salida MOSFET para 1 MHz y 70V de conmutación?

  

lo que he hecho 1. intente agregar la resistencia 1M o 10K en la puerta de MOSFET, el resultado: no hay señal de salida

Has hecho eso que no debes hacer! Si revisa la hoja de datos , verá que la capacidad de entrada, \ $ C_ {iss } \ $, es bastante alto: 2.16nF. Una resistencia de tope de compuerta de 1M más este capacitor formará un filtro de paso bajo que tiene una frecuencia de corte de \ $ f_C = 1000 / (2 \ pi \ cdot 2.16 \ cdot 1) = 73.7Hz \ $, por lo que la entrada pulsa estará totalmente cortado, por lo que el MOSFET nunca se encenderá. Por eso no obtienes ningún resultado.

Cure: elimine 100k y cambie 1M a una resistencia para que forme un LPF con una frecuencia de corte de al menos \ $ 3 \ cdot f_ {SW} = 3MHz \ $.

  

2. Agregue un condensador de desacoplamiento, el resultado: ningún efecto
  

¡Por supuesto! Cualquier inductancia provoca un zumbido. ¿Dónde tienes las inductancias? Respuesta: Cables e inductancia de drenaje interno del MOSFET.

Cure: una red de supresores en Drain y Source / GND. Puede encontrar mucha información sobre el diseño de amortiguador en Internet.

PS: Tu MOSFET no parece ser adecuado para cambiar a 1 MHz. Debería usar otro como éste (Elegí este uno Aleatorio. Selecciona según su voltaje y necesidades actuales).

El diseño es muy importante para reducir el timbre en el voltaje de la compuerta. Desea optimizar para baja inductancia en el seguimiento de la unidad de puerta. Así que piense en trazas cortas, trazas más gruesas también pueden ayudar con esto un poco. La otra parte de reducir el timbre de la puerta es disminuir el tiempo de transición, que es lo que los otros comentarios / respuestas intentan lograr con las resistencias.

También podría ser un artefacto de medición si no está utilizando el clip de resorte de tierra en su alcance

Solo quería añadir que habrá una cierta inductancia entre la fuente de alimentación y el drenaje de su MOSFET (y también en el lado de retorno). Recuerde que cuanto más rápido cambie la carga y mayor sea su corriente, mayor será el pico de voltaje que verá.

$$ V = L \ frac {di} {dt} $$

Donde V es el voltaje a través de su inductancia parásita. Los trazos anchos deben usarse con cobre de alto peso si está cambiando grandes cargas rápidamente.

Este voltaje aparecerá además de su fuente de voltaje (70V). Una menor resistencia en serie con la puerta causará una conmutación más rápida y una mayor resistencia causará una conmutación más lenta. Tenga en cuenta que la compuerta del MOSFET necesitará un controlador de compuerta si desea cambiar las cargas muy rápidamente y reducir la disipación de energía en el FET. Además de reducir la inductancia en el drenaje MOSFET, también debe tratar de mantener la distancia de bucle pequeña conectando las fuentes de alimentación a los terminales de retorno y positivo.