Ajuste de la velocidad de giro

La conducción del MOSFET se controla mediante su carga total de la puerta \ $ Q_g \ $: operar un MOSFET es equivalente a cargar y descargar su capacitancia de la puerta, sacándolo de su estado "OFF" ( conducción cero entre los electrodos de drenaje y fuente y \ $ Q_g = 0 \ $) a su estado "ON" (conducción completa entre los electrodos de puerta y fuente y \ $ Q_g = Q_ {g \ max} \ $) y al revés . El proceso es exactamente la carga de un condensador (no lineal): si desea controlar la "velocidad" de la transición entre estos estados de conducción, la forma más sencilla es controlar la corriente de carga. Mirando su circuito, la mejor manera es quizás cambiar su entrada saturada interruptor \ $ \ mathrm {Q} _2 \ $ con un "amplificador" de corriente adecuadamente controlado: la carga actual de la compuerta es controlada por el potenciómetro \ $ \ mathrm {PT} _1 \ $, que puede ser digital.

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

Notas

• Al usar este circuito, puede controlar la velocidad de carga de la puerta de \ $ \ mathrm {Q} _1 \ $ sin variar la capacidad de la puerta (es decir, sin cambiar \ $ C_1 \ $). Al reducir el valor de \ $ \ mathrm {PT} _1 \ $ aumenta la \ $ I_ {C2} \ $ current, que a su vez aumenta la \ $ I_ {C3} \ $ current (el factor de amplificación es una función de los valores de \ $ \ mathrm {R_ {E1}} \ $ y \ $ \ mathrm {R_ {E2}}) \ $ y reduce el tiempo de carga de la puerta de \ $ \ mathrm {Q} _1 \ $, disminuyendo el tiempo de subida de su salida. Por el contrario, el aumento del valor de \ $ \ mathrm {PT} _1 \ $ reduce el tiempo de subida de salida.
• Por supuesto, puede diseñar un mejor circuito de carga de compuerta controlada que el que propuse, pero este último puede diseñarse para ser muy rápido, si es necesario.

Nueva edición

Una relación entre la entrada actual \ $ I_ {in} \ $ del \ $ \ mathrm {HB} _1 \ $ y el \ $ I_ {C3} \ $ descarga actual como una función de las resistencias \ $ R_ {E1} \ $ y \ $ R_ {E2} \ $ que se pueden deducir de las propiedades del circuito del transistor de unión bipolar es la siguiente: $$ I_ {C2} \ approx \ frac {h_ {FE}} {(h_ {FE} +1) \ frac {R_ {E2}} {R_ {E3}} + 1} I_ {in} $$ donde

• \ $ h_ {FE} \ $ es la ganancia actual de \ $ \ mathrm {Q} _2 \ $ y \ $ \ mathrm {Q} _3 \ $ (se asume que es el mismo).
• \ $ I_ {in} = \ frac {V_ {in} -V_ {BE1}} {R_ {E2} + R_ {E3}} \ approx \ frac {V_ {in}} {R_ {E2} + R_ {E3}} \ $

No creo que HB1 se use para problemas de conmutación, ya que el voltaje en HB1 está en vcc a menos que el fusible F1 se derrita. Por lo tanto, HB1 es un puerto de entrada para detectar si el fusible se ha ido .

El HB2 se utiliza para encender y apagar el transistor p-MOS Q1 a través de Q2 . La velocidad de giro positiva se puede ajustar con R3 y C3 , mientras que la velocidad de giro negativa durante el apagado se ajusta con R1 y C1 . ¡Pero si está utilizando un controlador, asegúrese de que los puertos puedan entregar el actual!

¡Esta configuración de circuito también garantiza que el interruptor esté apagado de manera segura mientras se enciende, lo cual es una necesidad en la mayoría de las aplicaciones!

BTW: No creo que sea inteligente usar el P2 como un npn, mejor use un NMOS en su lugar.

NOTA :

Las tasas de giro en los conmutadores no son el mismo problema que las tasas de cambio en los amplificadores operacionales

En su diseño, debe agregar una resistencia de entrada en serie a HB1 por razones de seguridad.