Si observa la característica de resistencia de encendido de un IRFZ44N (por ejemplo) es así: -
Dibujéunalíneaverticalrojaquecorrespondeaunvoltajedelafuentededrenajede0.3Vysiobservalaslíneashorizontalesquedibujé,deberíaverqueparaestacaídadevoltajepuedehabervariosvaloresdiferentesdeCorrienteatravésdeldesagüe.
Estosdiferentesvalores(quevandesde4,5amperioshasta25amperios)correspondenalvoltajedelvariadorenlacompuerta.Porlotanto,conunvoltajedeaccionamientode4,5voltiosenlacompuerta,laresistenciadeencendidoseráde0,3voltios/4,5amperios=67miliohmios.Cuandoelvoltajedelacompuertaesde15voltios,laresistenciadeencendidoseráde0,3voltios/25amperios=12miliohmios.
Claramente,puedeesperarquelaresistenciadeactivaciónseamenorcuandoelvoltajedelacompuertaseamayor.Cuandolaresistenciadeactivaciónesmenor,paraunacorrientedada,lapérdidadepotencia(\$I^2R\$)serámenor.
Porcierto,estasanterioresson"pérdidas de conducción" y no "pérdidas de conmutación", aunque las pérdidas de conmutación pueden mejorarse con unidades de compuerta más altas (y unidades de compuerta más rápidas). Las pérdidas por conmutación se producen cuando el MOSFET cambia de una impedancia de alta apertura a una baja: el período intermedio se determina por la velocidad del conductor del MOSFET: una velocidad más baja significa que el MOSFET pasa un tiempo más largo con un valor de resistencia mayor no está completamente encendido o completamente apagado.