arduino mosfet solenoide

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Estoy tratando de conducir un solenoide con un arduino pro. He montado el enfoque típico de MOSFET con un rectificador de protección:

Elcircuitofunciona,yelsolenoideseactiva,peromuydébilmente.Enotraspalabras:semueve,perotanprontocomoadjuntoloquequieroquesemueva,yanotienelafuerzasuficienteparamoverlo.Sinembargo,funcionaperfectamentebiensiloconectodirectamentea12V.¿Quépodríaestarhaciendomal?

ElMOSFETesun BUZ91A .

El solenoide es un 12 V ZYE1-0530Z (parece que hay versiones de 12V y 24V con el mismo número de pieza). No pude encontrar ninguna especificación sobre la impedancia de estas cosas, pero he medido 5 de ellas y todas tenían entre 10.5 y 11 ohmios.

R2 es 2Mohm, no hay quejas.

D1 es un 1N4001

He intentado aumentar el voltaje hasta 16V y mejora, pero aún más débil que el suministro directo de 12V desde mi PSU.

Sospecho que no ofrezco suficiente información actual, probablemente relacionada con elegir el MOSFET incorrecto.

He intentado un enfoque similar pero utilizando una matriz darlington TIP122 prácticamente con los mismos resultados.

    
pregunta Alejandro Guerrieri

2 respuestas

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Suponiendo que el MOSFET está completamente encendido, tienes una resistencia de encendido de alrededor de 1Ω.

El solenoide tiene una resistencia de alrededor de 11Ω.

Si sumas los dos, obtendrás una resistencia total de 12Ω.

Al funcionar a partir de 12V, obtienes \ $ I = \ frac {V} {R} = \ frac {12} {12} = 1A \ $.

Eso se relaciona muy bien con los resultados de Google que obtengo, que incluyen "Nuevo DC12V 1A 10mm Stroke Push Type Electroimán electromagnético de marco abierto" .

La caída de voltaje en el MOSFET sería \ $ V = R {\ times} I = 1 {\ times} 1 = 1V \ $. Por lo tanto, el solenoide obtendría solo 11 de los 12 voltios que necesita para funcionar correctamente.

Cuando aumentas el voltaje a 16V, las sumas cambian un poco.

  • La corriente es \ $ I = \ frac {V} {R} = \ frac {16} {12} = 1.33A \ $
  • La caída de voltaje es \ $ V = R {\ times} I = 1 {\ times} 1.33 = 1.33V \ $

Entonces, la bobina obtiene \ $ 16-1.33 = 14.67V \ $.

Si el MOSFET no se enciende por completo, lo que puede ser el caso, ya que el voltaje de umbral podría ser tan alto como 4 V, la resistencia sería considerablemente mayor. Sin embargo, usted menciona que ha intentado conducir la puerta con 12 V y no hace ninguna diferencia. Así que asumimos que debe estar completamente encendido.

Debería considerar encontrar un MOSFET que tenga una resistencia a la resistencia mucho menor. 1Ω es un valor relativamente alto según los estándares actuales. Una resistencia de unos pocos metros cúbicos es mejor para este tipo de aplicaciones. También busque uno con un voltaje de umbral máximo más bajo, digamos más cercano a la marca de 3V o inferior. A menudo se denominan MOSFET de "nivel lógico".

    
respondido por el Majenko
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Si no puede encontrar una parte de canal N adecuada con una especificación de umbral bajo, puede usar un transistor NPN de propósito general y una parte MOSFET de canal P (se puede usar una con una especificación de umbral relativamente alta).

El MOSFET del canal P va en el lado + V del relé, con Fuente a + V, Drain to relay +, lado bajo del relé a GND, la resistencia de alto valor va desde la puerta a + V, el NPN El coleccionista va a la verja. Una resistencia en la base NPN y el emisor a GND.

Luego, solo una pequeña señal de 3v en el NPN lo encenderá y luego conducirá completamente la compuerta del canal P a cerca de 0v (para un encendido completo).

Incluso con un canal P, el MOSFET aún busca una pieza con un valor Rds-on bajo para reducir las pérdidas de IR.

    
respondido por el Nedd

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