Usando un MOSFET para cambiar un alto voltaje en una carga capacitiva

Hay algunos problemas / comentarios diferentes que veo con esto.

1. Eso es un MOSFET de 600 V y estás planeando usarlo a 575 V. Yo diría que use un MOSFET > = 900V para estar seguro.
2. Muestra un amplificador operacional inversor para obtener un voltaje negativo, pero no está claro en absoluto que tenga un suministro de voltaje negativo (por ejemplo, -10 V). Si no tiene esa fuente negativa, su circuito no funcionará.
3. Probablemente desee manejar el MOSFET con un voltaje decente, como -10V o más. Tenga en cuenta que el RDS (activado) se especifica en un Vgs de -10V. Ese transistor está apenas en -5V. Eso significa que su amplificador inversor debe tener una ganancia de -4 aproximadamente desde una salida TTL (2.6V).
4. A algunos amplificadores operacionales no les gusta conducir una carga capacitiva (como una compuerta MOSFET)
5. Es posible que desee una resistencia de puerta
6. Esto no cambiará el MOSFET rápidamente, pero no lo veo como un problema siempre y cuando no se encienda y apague con frecuencia. Dado que el MOSFET está disipando efectivamente la energía almacenada en la carga capacitiva, no creo que sea un problema.
7. Si la capacitancia es grande (o si necesita cambiar la carga con mucha frecuencia), es posible que necesite una resistencia en serie con el drenaje para disipar la energía. En ese punto, la velocidad de conmutación se vuelve importante. Tenga en cuenta que la energía almacenada en un condensador es \ $ Energy = \ dfrac {1} {2} \ cdot C \ cdot V ^ 2 \ $.

Mi enfoque excesivo probablemente sería obtener un convertidor DC-DC aislado, un aislador de señal digital IC (óptico u otro) y un controlador de compuerta. Por supuesto, en ese momento también es probable que puedas usar un NFET.