Es muy posible. Este método siguiente requiere que sepa \ $ K_n \ $ y \ $ V_ {tn} \ $ del FET.
Aquí está la línea de carga de este amplificador:
Ahora, para obtener la máxima ganancia, desea una máxima oscilación simétrica de salida. Esto se logra presionando el FET de modo que el punto Q esté en el centro de la línea de carga como se muestra arriba. Para llegar al centro de la línea de carga, primero debe encontrar \ $ V_ {DS (sat)} \ $
En el punto \ $ V_ {DS (sat)} \ $ sabemos que:
$$
I_ {DT} = K_n (V_ {GSt} -V_ {TN}) ^ 2
= K_nV_ {DS (sat)} ^ 2
$$
Porque \ $ V_ {DS (sat)} = V_ {GSt} -V_ {TN} \ $
Ahora a partir de la ecuación de la línea de carga:
$$
I_ {DT} = \ frac {V_ {DD} -V_ {DS (sat)}} {R_D} = K_nV_ {DS (sat)} ^ 2
$$
Al resolver esta ecuación cuadrática, obtendrás dos valores para \ $ V_ {DS (sat)} \ $. Obviamente, uno debe estar equivocado (como un valor negativo) y debe descartarse.
Ahora puede calcular el punto Q \ $ V_ {DSQ} \ $ y \ $ I_ {DQ} \ $:
Para que \ $ V_ {DSQ} \ $ se encuentre en el centro de la región de saturación, debe ser válido que:
$$
V_ {DSQ} -V_ {DS (sat)} = V_ {DD} -V_ {DSQ}
$$
Asi que:
$$
V_ {DSQ} = \ frac {V_ {DS (sat)} + V_ {DD}} {2}
$$
Con \ $ V_ {DSQ} \ $ conocido puede calcular \ $ I_ {DQ} \ $:
$$
I_ {DQ} = \ frac {V_ {DD} -V_ {DSQ}} {R_D}
$$
Ahora por las cosas buenas:
$$
I_ {DQ} = K_n (V_ {GSQ} -V_ {TN}) ^ 2
$$
$$
V_ {GSQ} = \ sqrt {\ frac {I_ {DQ}} {K_n}} + V_ {TN}
$$
Ahora lo has resuelto. Debido a que no hay resistencia de origen, \ $ V_G = V_ {GSQ} \ $
Para la red de polarización de resistencias es simplemente:
$$
V_ {GSQ} = \ frac {R_ {G2}} {R_ {G1} + R_ {G2}} V_ {DD}
$$
Y puede resolver sus valores de resistencia desde allí.