pregunta de retroalimentación negativa del amplificador BJT

• Mi respuesta a 2 .: Sí, es muy importante porque el principio de retroalimentación negativa es más importante para todos los amplificadores electrónicos, filtros, osciladores, ... Más que eso, juega un papel dominante en todos los análisis de estabilidad (recuerde: los amplificadores con retroalimentación pueden volverse inestables).

• Mi respuesta a 1 .: Creo que no es posible calcular la "ganancia de voltaje en bucle abierto" porque el transistor NO es un amplificador de voltaje. En su lugar, actúa como una "fuente de corriente controlada por voltaje" [Ic = f (Vbe)]. Eso significa que: la característica de transferencia de bucle abierto es la transconductancia gm = Ic / Vt .

(Como otro ejemplo, existe la misma situación para el amplificador de transconductancia operacional integrado (OTA), que tiene una "ganancia de bucle abierto" que también es idéntica a la transconductancia gm del dispositivo).

Le muestra un seguidor de emisor. Se puede pensar que tiene comentarios negativos, pero eso es un poco incómodo. Es más fácil pensar que el voltaje B-E es aproximadamente constante. Cuando la carga consume más corriente, tira hacia abajo en E. Eso aumenta el voltaje B-E, lo que causa más corriente C-E, lo que genera más carga.

El resultado neto es que la carga ve una fuente de baja impedancia. En la primera aproximación (el voltaje B-E es constante), la impedancia de salida es la impedancia con la que se impulsa la base dividida por (ganancia de transistor + 1).

Sí, comprender las pocas configuraciones básicas de los amplificadores de un solo transistor, cómo funcionan y sus características generales, es importante si alguna vez quiere ser bueno diseñando circuitos.

• 1er higo. es un sumidero de corriente controlado por voltaje (por lo tanto, se invierte en el colector)
• H Bias muy estable, menos sensible a hFE pero baja ganancia de V.
• La corriente compartida produce una ganancia de -RL / RE
• 2dafig.tieneunCapquedesvíaRe,asíqueganeporencimadeω>1/RCdependedelauniónrBE(pequeñasmall)parahacerunagranproporcióndegananciacontroladaporlacorrientedepolarizaciónIb.

• másgananciadeVperomássensibilidadconhFE

• tercerafig.tieneunagananciadebucleabiertomuyaltaenQ1yQ2

  • dependedelaaltahFEylaeleccióncríticadeRL(quedeberíaser~1.8k)
  • puedeamplificar1mVconganancia(500~1000x)
  • Zin=10K
  • pruebadehabilidad,¿QuéagregaríaparamejorarlasensibilidaddehFE,mantenerlaganancia>500ymejorarlaTHDutilizandosolounaretroalimentaciónnegativaR?yquevalor

Pregunta , ¿Cuál es el diseño de ganancia en V más alto que puede obtener con 1 transistor con hFE de 200 a 12 Vcc?