Circuito de carga de carga compartida para polímero de litio

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La carga de la batería de litio al mismo tiempo que intentaba usar el circuito no funcionó del todo, con problemas como que el circuito no se enciende y la batería nunca termina de cargarse.

La batería es de 3.7 V y tiene una capacidad de 300 mAH.

Sin embargo, encontré la nota de la aplicación de microchip sobre el mismo problema.

Aquí está el circuito: -

CuandolaalimentaciónUSBseaplicaaVin,estecircuitoapagaráQ1,yluegolacargausarálaalimentacióndelUSBatravésdeD1.Estopermitequelabateríasecarguenormalmentesinningunaperturbaciónexterna.

  • ElQ1esMOSFETdelcanalP,peronopuedoentenderelconexión.¿PorquélafuenteestáconectadaparacargaryeldrenajeconectadoaVbat?Debeseralrevés.

  • ¿QuéMOSFETdeboseleccionarparaestecircuito?Simicorrientedecargaes100mAmax?¿QuédeberíaserelRd(en)yVGS(th)delMOSFETquePuedousarenelcircuitodearriba?Cualquiersugerenciaparaelnúmerodeparte

EstoyconsiderandoesteMOSFETdecanalPDMP1045U enlace

Estoy considerando el diodo B130LAW: - enlace

También D1 es para evitar que la corriente fluya de la batería a la fuente de alimentación de carga. D1 debería ser un diodo schottky. La corriente de fuga inversa de D1, que podría ser de hasta unos pocos cientos de microamperios (los diodos schottky tienen muchas fugas).

  • Esta corriente de fuga creará un pequeño voltaje en la puerta MOSFET que, si es lo suficientemente alto, podría hacer que el MOSFET no se vuelva a encender correctamente cuando la potencia principal Vin se elimina. ¿Cómo superar esto?

  • ¿Cómo minimizar la corriente de fuga de D1 ?

  • ¿Cuál debería ser el valor de Rpull ?

pregunta RS System

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¿Por qué la fuente MOSFET está conectada para cargar y descargar la batería?

Como se muestra en el esquema, el MOSFET tiene un diodo del cuerpo conectado desde el drenaje a la fuente. Si el MOSFET se conectara al revés, la alimentación USB podría fluir a través de D1 y el diodo del cuerpo hacia la batería, cargándolo más rápido de lo que es seguro. (Tenga en cuenta que cuando MOSFET está activado, permite que la corriente fluya en cualquier dirección, como una resistencia).

¿Cómo evitar que la corriente de fuga en D1 apague Q1?

Básicamente, haz que R PULL sea lo suficientemente fuerte. Si su corriente de fuga máxima sobre temperatura y voltaje es, digamos, I LEAK = 100 μA, entonces una R PULL de 1 kΩ daría un voltaje de puerta máximo de 100 mV, que es casi seguro que está bien.

¿Qué MOSFET debo seleccionar?

Tienes razón en que R DS (on) y V GS (th) son los parámetros importantes. Deberá conocer la corriente máxima I LOAD tomada por su carga. Elija R DS (encendido) para que, incluso cuando la batería esté casi agotada (3,2 V) y la carga esté consumiendo la corriente máxima, haya suficiente voltaje para el sistema. Este voltaje sería 3.2 V - I LOAD * R DS (on) .

Desea que el MOSFET esté completamente encendido incluso cuando la batería está casi agotada, por lo tanto, use el mismo valor que el anterior para el voltaje de la fuente. El voltaje de la fuente de la compuerta será la diferencia entre esto y el voltaje en la compuerta causado por una fuga a través de R PULL , para un resultado final de 3.2 V - I LOAD * R DS (activado) - I LEAK * R PULL . (Tenga en cuenta que un MOSFET no está completamente encendido cuando se encuentra en su voltaje de umbral: normalmente desea al menos un voltio extra, pero verifique la hoja de datos).

¿Cómo puedo reducir la corriente de fuga?

Mantener el D1 fresco ayudará mucho: si solo necesita operar hasta, por ejemplo, 50 ° C, tendrá una corriente de fuga mucho menor que a 125 ° C (pero tenga en cuenta el autocalentamiento si Estás disipando un poder sustancial en D1). Si esa no es una opción, también puede considerar el uso de un diodo de silicio regular en lugar de un Schottky. La caída de voltaje será mucho mayor, pero como está comenzando con el voltaje del USB en lugar del voltaje de la batería, puede darse el lujo de perder un poco.

    
respondido por el Abe Karplus

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