NPN vs PNP limitador de corriente

Mirando la hoja de datos, podemos obtener la ganancia actual tanto para PNP como para NPN:

Parece que la variante NPN proporciona una ganancia de corriente visiblemente más alta que la variante PNP. Hay más parámetros que difieren, probablemente el VBE, etc., por lo que ambas configuraciones no darán los mismos resultados.

1 & ohm; La resistencia Sense2 está pasando 455mA, por lo que debe bajar 0.455V, y Q6 V _BE también debe ser 0.455V. Esto es mucho más bajo de lo esperado (debería ser ~ 0.65 V), por lo que sospecho que el modelo D45H11G es incorrecto.

Para confirmar, medí el voltaje del Emisor Base de varios transistores D45H11 que dibujaban ~ 60 mA con 0.9 V desde el Colector al Emisor. Las 3 muestras tenían un V _BE de 0.655V.

Este limitador de corriente es muy similar a una estructura de SCR, por lo general para evitar oscilaciones con la carga que se emplea con una resistencia de emisor en ambos transistores para que la ganancia sea menor. Probablemente el simulador calcula la corriente base que fluye a través del transistor opuesto, de modo que se calcula un punto de trabajo impredecible. Pruebe con una 10 a 100 R en serie con el emisor del Q4 o Q6 y probablemente los resultados serán más similares.

Simulé su circuito PNP con LTSpice, usando el modelo estándar de LTSpice para el D45H11. Obtuve resultados similares a ti, con una corriente de 452mA a través de la carga.

En Semi tiene varios modelos de especias diferentes para el D45H11. Utilicé este para el MJD45H11 . Puede cambiar sus transistores a MJD45H11 o cambiar la declaración del modelo a D45H11. En LTSpice simplemente pegué la declaración .model en el esquema.

Al usar el modelo MJD45H11, obtengo una corriente de 712mA a través de la carga.

La conclusión debe ser que el modelo estándar para el D45H11 es incorrecto.