¿Cómo se comparan BJT vs JFET versus HBT en términos de \ $ 1 / f \ $ amplitud de ruido y frecuencia de esquina? Sé que estos tipos de transistores son muy diferentes, se usan para diferentes frecuencias y potencias, y cada uno tiene muchas variaciones diferentes, todas con diferentes ruidos de parpadeo, pero en promedio, ¿un tipo es mejor que otro?
Depende de la estructura cristalina de la oblea epitaxial y la geometría de la unión y el cuadrado de la corriente necesaria para la polarización tanto en el conductor como en el dieléctrico. El ruido de parpadeo es un ruido rosa aleatorio que generalmente se mide < 100Hz en \ $ A ^ 2 / Hz \ $ como ruido de 1 / f, pero contribuye al ruido de fase en RF.
La explicación es simple pero difícil de visualizar.
Imagine una pequeña tapa de fuga baja en una compuerta no unificada o un DIAC con una pequeña corriente de polarización y un voltaje de ruptura para el semiconductor cortocircuitando la tapa y luego cargando nuevamente. Este es un oscilador fijo de relajación. Ahora imagine que ciertos cristales semiconductores tienen una corriente de fuga más alta (efecto temprano) con un BDV mayor que genera descargas parciales más grandes entre las moléculas cargadas antes de que se descompongan bajo el campo eléctrico (en una escala nano). Luego imagine millones de osciladores de relajación de paso bajo de frecuencia de pulso aleatorio filtrados por el dieléctrico entre los átomos conductores cargados. Por lo tanto, este contante de tiempo de RC afecta la velocidad de relajación, mientras que las fugas de alta serie y el paso bajo de capacitancia de derivación filtran estos pulsos de banda ancha o "parpadeos".
En mi teoría, es el dispositivo con la mayor constante de tiempo de fuga RC y el BDV más alto donde el producto produce una frecuencia de esquina en algunos A ^ 2 / Hz con voltaje de polarización aplicado. Llamo a esto flicker, descarga aleatoria (PD) o parcial (nano cristalino), para su comprensión y consideración.
¿Qué dispositivo? depende de la potencia de conducción, la corriente de polarización de entrada de fuga, los niveles de dopaje dieléctrico, la nanoestructura épica cristalina y la metaestructura como FET, BJT o HJT.
Pero sabemos con certeza cómo clasificar los conductores como lo hice anteriormente, por lo que generalmente usamos MF para reducir el ruido exclusivamente y carbono o WW donde el ruido de alta corriente no importa.
No sé cómo decirle qué dispositivo tiene el ruido de parpadeo aleatorio más bajo para CUALQUIER diseño aleatorio.
... pero puedes mirar los FET de GaA y comparar.
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