¿Hay alguna diferencia práctica entre las salidas de Open Drain y Open Collector, o los términos se usan de manera intercambiable? Si son realmente diferentes, ¿cuáles son los contextos donde cada uno es ventajoso? Mi corazonada es que son funcionalmente equivalentes, pero Open Drain se implementa con tecnología FET mientras que Open Collector se implementa con tecnología BJT.
Eso es correcto, el colector abierto es BJT, el drenaje abierto (C) MOS. En los circuitos lógicos donde las corrientes son bajas, el voltaje de saturación del BJT puede ser un poco más alto que la caída de voltaje debido a \ $ R_ {DS (ON)} \ $ para el FET, pero aún será mucho más bajo que el voltaje máximo Para una lógica baja.
Excepción: no puede usar una salida de colector abierto TTL como un cambiador de nivel para interconectarse con un CMOS de muy bajo voltaje. Este inversor puede operar en un Vcc tan bajo como 0.8 V, y la hoja de datos proporciona un nivel bajo máximo de 0.25 Vcc, eso es 0.2 V. Un colector abierto tendrá una caída de voltaje mayor que eso. ( Este dispositivo incluso especifica un voltaje de entrada de nivel bajo máximo de 0 V, que es simplemente imposible. )
nota
Aparte de la conexión por cable (creo que I2C), el drenaje / colector abierto se usa a menudo para controlar algo que funciona a un voltaje diferente al de la lógica, a menudo un voltaje más alto. Con algunas familias lógicas de bajo voltaje esto ya no es posible, ya que los FET no tolerarán el alto voltaje y por esa razón algunos las familias tendrán diodos de sujeción incorporados para proteger los FET de salida.
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