¿De dónde obtuviste tu modelo IGBT?
¿Es un modelo para la parte real de un modelo genérico de IGBT?
La parte que ha elegido debería normalmente trabajar con la unidad de 5 V, pero las curvas en la figura 3 a continuación muestran que normalmente necesita al menos una unidad de 6,5 V y que dicen que la unidad de 8 V + sería mejor. Observe que el voltaje máximo de la unidad de compuerta que se muestra en el gráfico es de 13.5 V, aunque el dispositivo tiene una tensión nominal de puerta de 20 V. El funcionamiento bien por debajo del voltaje de puerta nominal es un buen objetivo de seguridad siempre que el dispositivo funcione bien con el voltaje de puerta elegido
La IRG4BC10U hoja de datos IGBT se puede encontrar aquí
Esta es una parte agradable que se adapta bien a su necesidad si la frecuencia PWM no es demasiado alta y siempre que proporcione suficiente unidad de compuerta.
La hoja de datos, página 2, indica que VGE (th) = umbral de la puerta = el voltaje mínimo de voltaje es de 6V máx. (caso más desfavorable), por lo que DEBE usar al menos 6V en un diseño adecuado.
La hoja de datos
fig 3 página 3 muestra que puede obtener 10 A a 9 V, lo que debería ser suficiente para usted. 10A x 110 ~ = 1 kiloWatt !. Por otras razones, tendría problemas para llegar a esa corriente, pero no es necesario. Una lámpara de 100 vatios requiere aproximadamente 1 amperio a 100 VCA una vez que se haya calentado.
HOWEVER
LaFig.1muestralacorrientemáximaconlafrecuencia.Eslosuficientementefeliza1kHz,infeliza10kHzyseponemuymalporencimadeeso.1kHzesPWMbastantelento,peroeslosuficientementerápidocomoparaevitarelparpadeodelalámpara.
LaFig.5muestraqueobtendrásunacaídade2Va1Amp,talvezunacaídade1V.
Con1Ax2V,seobtieneunadisipaciónde~2vatiosyhaypérdidasdeconmutación.
Lafigura10muestraquelaspérdidasdeconmutaciónsonpequeñasa1kHzencomparaciónconlaspérdidasdeenergíadebidasalatensiónactivadade1Va2Va1A.
Porlotanto,engeneral,conaproximadamente10Vdeunidaddecompuertay1kHzPWMyunmodestodisipadortérmico,esteIGBTfuncionarábiena110VCA,1A.
PEROunMOSFETpuedeserunamejoropción:unPWMmásaltosinlaspérdidasdelIGBT.
Laactividaddelagimnasiaprincipal
600V,8A.
UnidaddeCAde+/-30Venlapuerta,porloqueesmásresistentequelamayoría.
Elestuchetipo"FullPAK" TO220 está completamente aislado, lo que lo hace más seguro de usar.
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Se ejecutará en modo correcto a una unidad de 5 V con una carga < = 2A, mucho más feliz en una unidad de 6 V o más.
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La resistencia de
Rdson = on es ligeramente superior a 1 ohm a una carga de hasta varios amperios a una unidad de 5V. Por ejemplo, las pérdidas de 1.5W en 1A y 3W en 2A. (Página 10, varios higos).
Se requiere un disipador de calor similar al del IGBT.
Por ejemplo, se necesita un aumento de temperatura de 30 ° C a 3 ° C a 30/3 = 10 C / W.
El paquete FullPAk agrega otra resistencia térmica de 4.3C / W.
PERO los tiempos de conmutación de menos de 100 nanosegundos significan que es adecuado para frecuencias PWM mucho más altas que el IGBT.
En general, el FET funcionaría bien y permitiría una selección más amplia de frecuencias PWM.