¿Por qué podría ser tan alto el voltaje del colector-emisor para este transistor?

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Estoy intentando usar un transistor NPN como interruptor, para conducir una carga de LED. Así que solo me interesan los estados inactivos y saturados.

Entiendo que cuando la unión del emisor de base está saturada (en mi caso debido a que el emisor está conectado a tierra y el voltaje de la base es lo suficientemente alto), el voltaje del emisor-colector es cercano a cero. Varios lugares en la web (por ejemplo, aquí y here ) dicen lo mismo, que el voltaje del colector-emisor debe ser a lo sumo unas décimas de voltio. p>

Sin embargo, estoy viendo el ULN2003A, que parece ser un IC muy común para las matrices de transistores NPN, y la tabla de características eléctricas en su hoja de datos dice que el voltaje de saturación del colector-emisor es típicamente de 1.1 V, y puede ser de hasta 1.3 V. ¿Por qué es tan alto? ¿Estoy malinterpretando algo?

    
pregunta jacobsa

1 respuesta

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El ULN2003A es una matriz de Darlington, formada por pares de Darlington . El par Darlington tiene una ganancia de corriente más alta que un transistor bipolar individual. Los efectos secundarios incluyen un \ $ V_ {be} \ $ más alto (en la configuración del emisor común, aparecerá como dos gotas de diodo en lugar de una) y \ $ V_ {ce} \ $ (\ $ V_ {be} \ $ de un transistor, más \ $ V_ {ce} \ $ del otro).

    
respondido por el Matt Young

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