Almacenamiento flash: ¿Ciclos de lectura limitados?

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Comentario de enlace afirma que la lectura desde el almacenamiento flash no es una operación sin pérdidas, por lo que se actualizan con el controlador flash en el tiempo libre.

  

Estos sistemas de archivos no utilizan registro en diario, por lo que expulsa la tarjeta o   perder poder durante una escritura puede corromperlo. Incluso con el diario,   la pérdida de energía durante las escrituras en flash es un tema delicado ... podría perder   más que los datos que se están escribiendo, y se puede propagar a   bloques adyacentes también. Una simple escritura puede hacer que el controlador decida   para mover datos alrededor, etc ...    enlace

     

enlace

¿La renovación repetida no desgasta estos transistores de puerta flotante?

    
pregunta neverMind9

2 respuestas

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No, la lectura no desgasta la memoria flash. Mira cualquier hoja de datos de memoria flash. El borrado y la escritura dañan el aislamiento de óxido entre las puertas y los cuerpos FET. La lectura no.

    
respondido por el Olin Lathrop
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La activación de las líneas de lectura en un módulo Flash puede reducir el número de electrones almacenados en una celda.
Pero la respuesta es mucho más compleja.
La carga almacenada se filtrará con el tiempo y la temperatura, por lo que una celda con pocos electrones (quizás solo unos 100) perderá los electrones y será detectada como un cero cuando debería ser uno. Para aliviar esto, diferentes controladores alterarán el umbral de voltaje de lectura y / o la lectura / corrección de errores: borrarán y actualizarán los datos. La memoria flash puede ser única o MLC, y en el caso de MLC se acentúan los problemas de fuga y de lectura.

Este documento es una buena explicación de la complejidad involucrada .

    
respondido por el Jack Creasey

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