¿Hay materiales semiconductores con movilidad de agujero mayor que la movilidad de electrones?

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Todos los materiales que he visto tienen una movilidad de agujero mucho menor que su movilidad de electrones. Para el silicio, es por un factor de dos o tres; para el arseniuro de galio es más como veinte. ¿Pero hay algún material donde la movilidad del agujero es más grande? ¿Es incluso físicamente posible que la movilidad de los orificios sea más grande que la movilidad de los electrones?

    
pregunta Hearth

1 respuesta

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La pregunta es complicada porque en un nivel muy real, un agujero es una partícula "real", aunque los modelos tradicionales lo consideran una ausencia de electrones y esto se puede usar para explicar muchas propiedades eléctricas. Tiene su propia función de onda y, por lo tanto, existe físicamente (por falta de un mejor término) debido a la dualidad de onda de partícula. Interactúa de manera diferente y más allá de mi intuición para considerar qué propiedades debe tener un material para hacer más grande la movilidad de los hoyos.

No quiero involucrarme más en la física, está más allá de mi experiencia y entrenamiento.

Sin embargo, como posible contraejemplo exótico. El grafeno se puede crear y utilizar de una manera que tenga propiedades semiconductoras. Es hipotéticamente posible ajustar la brecha de banda a cualquier valor, algunas citas sugieren que en este agujero de material exótico y movilidad de electrones es la misma. Este conocimiento proviene de seminarios académicos, pero no está referenciado. La única cita que pude encontrar fue de wikipedia de este libro enlace

    
respondido por el crasic

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