Chicos, estaba estudiando el tema básico de la celda de ganancia en mi libro de texto. Me encontré con este circuito. Por favor, explique cómo v o no es igual a V DD . Quiero decir, ¿cómo pueden ser diferentes? No hay resistencia que habrá una caída de voltaje. Sólo hay una fuente actual. ¿La caída de voltaje ocurre también a través de fuentes de corriente? En el libro dice que v o se determinará a partir de los comentarios.
Si la fuente de corriente produce 10 mA y el MOSFET está intentando tomar 10.0001 mA, entonces el voltaje en el drenaje es aproximadamente cero. Si, por otro lado, el MOSFET está intentando tomar solo 9.9999 mA, entonces el voltaje en el drenaje está cerca de Vdd.
En la práctica, el MOSFET tiene una resistencia paralela DS efectiva de varios kohm, por lo que no es tan blanco y negro como pinta el párrafo inicial.
Con los MOSFET, debe tener en cuenta que la ganancia se debe a la tensión de drenaje y al cambio en la longitud efectiva del canal (sigma). A continuación se muestra una imagen que representa el comportamiento en subvt, incluso aunque no sea fiel a la física, en abovevt, es la misma pero las bandas son diferentes debido al canal invertido y la ganancia es menor.
Sitieneunacorrientefija,I,apartirdeunapolarización,elcanaldebecambiarparasatisfacerlacondicióndelasuperficie,loquesignificaqueVodependecompletamentedesutérminodedrenaje.
Sugeriríabuscaren"amplificador de fuente común" en VLSI analógico y sistemas neuronales por Carver Mead o VLSI analógico: Circuits and Principles by Liu ya que estos dos libros tienen la mejor explicación del comportamiento del dispositivo. Probablemente necesites revisar tu biblioteca universitaria.
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