Estaba buscando una forma sencilla de comprender por qué el amplificador de op-amp clásico funciona de la manera en que lo hace. Solo he encontrado explicaciones orientadas al álgebra, pero no una que ofrezca un argumento "electrónico".
Estaba buscando una forma sencilla de comprender por qué el amplificador de op-amp clásico funciona de la manera en que lo hace. Solo he encontrado explicaciones orientadas al álgebra, pero no una que ofrezca un argumento "electrónico".
Puede intentar mirar, aproximadamente y sin tomar la notación esquemática palabra por palabra:
Supongamos que el diodo mágico en el centro cambia los voltajes a cero (modificando la referencia / voltaje de tierra de la estructura entera para que sea exactamente eso!). ¿Cuál es el voltaje del nodo de salida? Bueno, tenemos \ $ V_1 \ $ amplificado por un factor de \ $ \ frac {R_2} {R_1} \ $ y \ $ V_2 \ $ amplificado por un factor de \ $ \ frac {R_2} {R_1} \ $ as ¡bien! Ahora simplemente mida el voltaje de \ $ V_o \ $ tomando el voltaje amplificado en \ $ R_2 \ $, negativo, y agregue el voltaje sobre el otro \ $ R_2 \ $, positivamente. ¡Ta-da! El voltaje de salida de ese nodo a tierra es \ $ \ frac {R_2} {R_1} (V_2-V_1) \ $.
Espero que esto ayude a quien busque otra perspectiva al circuito.
Aquí está mi interpretación "intuitiva":
Visto desde el nodo base izquierdo, el transistor izquierdo funciona en una configuración de colector común (porque la señal está acoplada en el nodo emisor). El otro transistor obtiene la señal de entrada en el nodo emisor y, por lo tanto, funciona en una configuración base común , y la señal amplificada está disponible en el nodo colector. La misma interpretación es posible desde el lado derecho.
Sugerencia: esta no es solo una interpretación "intuitiva" porque la conexión en serie de las etapas descritas proporciona la ganancia general correcta:
A = A1 * A2 con A1 = gm1 * r, in2 / (1 + gm, 1 * r, in2) y A 2 = gm2 * Rc
Tenemos r, in2 = r, e || 1 / gm, 2 que se simplifica a r, in2 = 1 / gm suponiendo gm, 1 = gm, 2 = gm y r, e & gt ; > 1 / gm (resistencia de emisor dinámico muy grande).
En este caso, la ganancia general (entre el nodo base de un transistor y el colector del otro transistor): A = gm * Rc / 2.