¿Qué transistor tiene mayor ganancia: BJT o MOSFET y por qué?
También podemos comparar estas dos ganancias, ya que BJT es una fuente de corriente controlada por corriente con una corriente de entrada Ib y una corriente de salida Ic, mientras que MOSFET es una fuente de corriente controlada por voltaje con una entrada de voltaje Vg y una ID de corriente de salida.
Si esta es una pregunta de la entrevista, creo que sería intencionalmente engañosa, lo más probable es que el objetivo sea ver qué preguntas harás, lo que dirá mucho sobre cómo piensas y qué sabes realmente.
La primera pregunta sería definir "ganancia", ¿es la ganancia actual, la ganancia de voltaje, la ganancia de potencia? Y dado que la ganancia es una propiedad del circuito, esto llevaría a "¿en qué configuración del circuito?" (colector común o emisor común, etc.).
Por ejemplo, los FET tienen ganancia de corriente, que es Id / Ig. En DC está cerca del infinito, pero a medida que aumenta la frecuencia, la corriente de la compuerta debido a la capacitancia interna aumenta, por lo que la ganancia de corriente depende de la frecuencia. Es simplemente la transconductancia del FET en su punto de polarización actual dividido por su impedancia de entrada (Cgs, más otras capacidades, incluido el efecto Miller). La ganancia de corriente de BJT también depende de la frecuencia, ya que parte de la corriente de base se desperdiciará en las capacitancias internas, pero el efecto es menos visible ya que la variación de voltaje de la base es mucho menor.
Los MOSFET son ajustables en la transconductancia, al alterar el ancho y la longitud del canal (distancia desde la fuente hasta el drenaje). Para los MOSFETS más antiguos, la corriente de drenaje también tiene una mejora lineal en la transconductancia, con factores de escala de dopaje y W / L.
Los bipolares no permiten esa capacidad de ajuste.