Curvas características de BJT - generándolas

La información más útil e informativa se puede obtener al medir realmente los datos y trazar las curvas a partir de dichos datos. De esta manera puede obtener el comportamiento del semiconductor específico que tiene en la mano. También puede comprender cómo los datos medidos cambian con otras influencias, como la variación de temperatura.

Hay dispositivos de prueba que pueden trazar una familia de curvas características en una pantalla de osciloscopio. Estos pueden ser muy útiles para comparar transistores y obtener una medida rápida de los parámetros del transistor. Estos requieren que lea sus puntos de datos fuera de la pantalla de alcance y puede que no sea tan preciso como algún otro tipo de configuración donde se miden voltajes y corrientes usando dispositivos de medición digital en la configuración de prueba.

Si desea esa segunda gráfica, particularmente con pendientes en la región activa modulando hfe, que se denomina efecto inicial , necesita el modelo Bum de Gummel-Poon . Está cubierto en detalle en la mayoría de los libros de texto de dispositivos de estado sólido. Parece que ya está implementado en matlab: enlace

Además, si no necesita el efecto Temprano (o inyección de alto nivel), entonces todo lo que necesita es el modelo Ebers-Moll. Mire estas diapositivas pp. 22-25 para obtener una instancia para una implementación de Scilab de la ecuación [ s], que estoy seguro de que puedes traducir fácilmente a matlab. Cualquier libro de texto de microelectrónica generalmente cubre Ebers-Moll.