¿Cuándo el NMOS forma el canal? VGS VTH o VGB VTH?

  

¿Cuándo forma NMOS el canal?

Un mosfet de canal n forma un canal cuando $$ V_ {GS} > V_ {TS} \ tag1 $$ o cuando $$ V_ {GB} > V_ {TS} + V_ {SB} \ tag2 $$ (Ambas condiciones son en realidad iguales)

Donde \ $ V_ {TS} \ $ es el voltaje de umbral con la fuente como terminal de referencia y viene dado por: $$ V_ {TS} = V_ {T0} + \ gamma (\ sqrt {\ phi_t + V_ {SB}} - \ sqrt {\ phi_t}) $$

\ $ \ gamma \ $ y \ $ \ phi_t \ $ son parámetros del dispositivo (consulte efecto corporal ) . \ $ V_ {T0} \ $ es el voltaje de umbral con la fuente y la masa en cortocircuito (\ $ V_ {SB} = 0 \ $). El voltaje de umbral dado en la hoja de datos es \ $ V_ {T0} \ $.

El punto que quiero señalar es que no se puede decir que un mosfet formará un canal si \ $ V_ {GS} \ $ es mayor que un voltaje particular o \ $ V_ {GB} \ $ es mayor que a voltaje particular sin saber el voltaje entre la fuente y el volumen, \ $ V_ {SB} \ $.

Por ejemplo, para un n-MOS de voltaje de umbral 3V, \ $ V_ {GB} = 4V \ $ no garantiza la formación de canales si el terminal de origen tiene un potencial mayor que el terminal a granel (o cuerpo).

  

¿Con respecto a qué voltaje de umbral del terminal de referencia se define?

Uno realmente puede definir dos voltajes de umbral- \ $ V_ {TS} \ $ con respecto a la fuente y \ $ V_ {TB} (= V_ {TS} + V_ {SB}) \ $ con respecto al volumen. Los libros de texto y los artículos, especialmente los relacionados con circuitos, generalmente lo definen con respecto al terminal de origen.

De hecho Vbg > Vth es realmente la condición por encima de la cual se forma un canal.

Creo que en el caso de que Vgs > Vth se usa, la explicación simple es que se supone que la Fuente está en corto al Bulk, por lo que: Vgs = Vgb

Cuando la fuente no está en cortocircuito a Granel y Vsb > El efecto del cuerpo 0 aumentará Vth, así que creo que usar Vbg > Se prefiere Vth.