Un transistor MOSFET IRF530 está disipando un pulso como la curva de potencia (trama verde a continuación) para alrededor de un Segundo durante su apagado (rojo y azul son voltaje y corriente):
(clickizquierdoparaampliar)
Yaquíunamiradamáscercana:
EsteMOSFETnosefabricaparaserusadoenunaregiónlineal,peroporalgunarazóntengoqueusarlodeestamaneraaunqueseapaguelentamente.
Hehechounapreguntarelacionadaaquíantes:
Esa pregunta previa me llevó a creer que no podía interpretar este pulso de energía en forma de campana (gráfico verde) cuando utilizaba una hoja de datos.
Como puede ver, durante la transición, esta potencia en la región lineal alcanza un máximo de alrededor de 30W y disminuye con la misma frecuencia y todo el evento toma un segundo o un poco más. No es periódico (no se repite, solo un pulso), o debería decir que el período es infinito. En este caso, si tomo el período infinito, la potencia promedio se reduce a cero. Pero si tomo el promedio en el tiempo transitorio de 1 segundo, la potencia promedio es de alrededor de 15W. Así que dependiendo del intervalo de integración obtenemos diferentes potencias medias. Como saben, LTspice calcula y muestra esta potencia promedio para el intervalo de tiempo seleccionado automáticamente y también puede ver ese promedio en mis gráficos anteriores.
Después de esta breve introducción, déjame explicarte mi confusión:
He estado tratando de encontrar respuestas a las siguientes dos preguntas durante la última semana sin ningún logro:
1-) Recordando que esto es un solo transitorio de forma de campana (no es periódico) y no es en absoluto un pulso cuadrado típico mencionado como en las hojas de datos: Si quiero usar la disipación de potencia de este MOSFET y usar esta potencia para verificar cualquier cosa con la hoja de datos, ¿qué potencia debo usar? ¿Potencia media o potencia máxima? Si la potencia media, ¿cuál debería ser el intervalo integral? Actualmente calculo el disipador térmico considerando la disipación de potencia como 15W, incluso si se trata de un solo pulso. Y si tomo el promedio durante 1 segundo y digo que el MOSFET disipa el promedio de 15W, Entonces, ¿cómo se ajustará a la gráfica SOA? ¿El pulso de potencia en forma de campana debe considerarse como una potencia de 15W para un ancho de pulso de 1 segundo? Espero haberlo dejado suficientemente claro, perdone mi inglés.
2-) Descubrí que LTspice tiene una nueva función que puede simular la temperatura de un nMOSFET llamado: SOAtherm que también se puede usar con SOAtherm-Heatsink.
Aquí está la información al respecto:
"Modelado del comportamiento del área de operación segura de MOSFET de canal N" en: enlace Y aquí está el video sobre cómo usar esta función: enlace
Parece que solo tienen esta opción para algunos modelos MOSFET (no para IRF530) pero también tienen una opción "Definida por el usuario" que me hace pensar que se puede agregar cualquier MOSFET.
Cuando busco en su biblioteca SOAtherm-NMOS.lib para cada MSOFET, el código SPICE se inicia como por ejemplo:
.subckt BSC009NE2LS D G S D2 G2 S2 Tj Tc
* The following two lines are customized for each model *
.param Tambient=85 RthetaJA=50 Cheatsink=0
.param Imult=1.00E+01 Iexponent=3.00E-01 R6=3.18E-02 C6=1.77E-04 R5=1.01E-01 C5=2.77E-04 R4=2.74E-01 C4=1.60E-03 R3=8.49E-01 C3=8.83E-03 R2=7.34E-02 C2=3.30E-03 R1=1.05E-03 C1=1.82E-03
* The remaining lines do not change between models
... the rest of the code same for all MOSFETs...
Significa que uno puede modificar un par de líneas para un modelo personalizado. Quería hacer lo mismo para IRF530, pero ¿cuáles son estos parámetros que no pude averiguar? Solo conozco RthetaJA de la hoja de datos, pero no tengo idea de lo que es C1 C2 R1 R2 ect ...
¿Alguien ha tratado con esta herramienta y sabe cómo personalizarla? Les envié un correo electrónico y les pregunté sobre esto, pero no recibí ninguna respuesta después de una semana.
En su sitio web hay una gran explicación sobre cómo usar esta herramienta, pero no hay información sobre cómo personalizar .