Desde el punto de vista de la unidad, un IGBT es muy similar a un MOSFET
UnIGBT,comounMOSFETesundispositivode3terminales.SecontrolaatravésdelvoltajedeGate-Emitter(fuente-puertaparaunMOSFET)
ParaactivarunMOSFET,debeaumentarlatensióndelaPUERTAconrespectoalaFUENTEporencimadelatensióndeumbral.Delmismomodo,paraactivarunIGBT,debeaumentarelvoltajedeGATEconrespectoalEMISORporencimadelumbraldevoltaje
ProbablementeestéacostumbradoaverlaFUENTEdeunMOSFETatierra/tierra/0Vreferenciadoy,porlotanto,esterequisitoclavedeactivaciónaparececomosoloun"voltaje de compuerta".
Este módulo particular de IGBT que está vinculando es una pata inversora hecha de 600V IGBT. Lo más seguro es que tenga un circuito de controlador aislado que sea capaz de al menos 600 V + entre el primario y el amp; secundario que también puede tolerar a 1500 V / us dv / dt
Cuando el voltaje entre los pines 4 y amp; 5 (compuerta y emisor) excede los 5,5 V a la izquierda e IGBT facilitará el flujo de corriente de los terminales 3 a 1
Cuando el voltaje entre los pines 6 y amp; 7 (compuerta y emisor) excede los 5,5 V a la izquierda e IGBT facilitará el flujo de corriente desde los terminales 1 a 2