Señales de CA de escritura de operación de Mosfet

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Estoy tratando de entender acerca de la operación Mosfet. Sería genial si alguien pudiera ayudarme a obtener respuestas a estas preguntas -

  1. ¿Qué sucede con una señal de CA (DC + señal de CA pequeña) si se aplica a la puerta de un MOS que está polarizada en el modo Lineal? En el modo de saturación, la salida en el drenaje / fuente se puede encontrar utilizando el modelo de análisis de pequeña señal. En el modo Lineal, ¿cómo analizamos esto? Como el mos se comporta como resistencia aquí, la salida debería ser automáticamente un componente DC + AC? ¿Qué pasa con la ganancia aquí? A partir de las características de transferencia de, digamos CS amplificador, se ve que la salida en el drenaje es pequeña y dvo / dvi es pequeña.

  2. ¿Qué pasaría con la ganancia y otros parámetros para un circuito que está sesgado en saturación con una fuente de corriente Ideal como se ve en la imagen, para análisis de señales pequeñas?

el valor DC de vo (nodo) sería Vdd-I.Rd También con el supuesto de que el dispositivo es enorme (KW / L = enorme), el componente de DC (nodo) puede tomarse como -Vth. ¿Cuál sería el componente de CA de los voltajes en estos nodos? ¿Habrá alguna ganancia aquí? Además, si tenemos un límite de derivación grande en el nodo vs, el análisis sería el mismo que para un amplificador CS. ¿Es eso correcto?

    
pregunta ags

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  1. En la región lineal podemos calcular la transconductancia como en la región de saturación. $$ \ frac {\ parcial I_D} {\ parcial V_ {gs}} = \ frac {\ parcial} {\ parcial V_ {gs}} K ^ \ prime \ frac WL \ left [(V_ {gs} - V_T) V_ { ds} - V_ {ds ^ 2} / 2 \ right] = K ^ \ prime \ frac WL V_ {ds} $$ Desafortunadamente, la expresión contiene \ $ V_ {ds} \ $ que nos dice que el transistor se comporta como una resistencia y que el modelo no es muy útil.

Sin embargo, podemos calcular la ganancia que resulta en \ $ A_v = K ^ \ prime \ frac WL V_ {ds} R_ {out} \ $ para que podamos calcularlo, si hacemos una suposición sobre \ $ V_ {ds} \ $. P.ej. podríamos sesgar el transistor en \ $ V_ {ds} = 100mV \ $ y continuar desde allí.

  1. Ya que la corriente está fija por la fuente de corriente y los resistores también están fijos, no habrá una pequeña ganancia de señal. Tenemos una ganancia de aproximadamente 1 de Vsig a Vs, ya que el transistor actúa como un seguidor de la fuente. Vo se mantendrá constante.
respondido por el Mario

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