Estoy tratando de entender el efecto de una menor \ $ V_ {DS} \ $ en MOSFET \ $ C_ { rss} \ $ (Capacitancia de transferencia inversa). En la mayor parte de la hoja de datos de FET, \ $ V_ {DS} \ $ frente a la curva de capacitancia comenzará a partir de 1V de \ $ V_ {DS} \ $ .
Aquí hay un gráfico de la página 5 de la hoja de datos .
¿Cuáleselcambioen
Gracias, VT
¿Cuál es el cambio en Crss con una variación de VDS de cero a 1V?
Bueno, solo piense en el problema cuando el VDS es de 0 voltios: el VDS está a punto de volverse negativo y, cualquier señal aplicada para medir la capacitancia, hará que eso suceda cada medio ciclo. Esto hace que la medición de la capacitancia sea problemática.
Entonces, la capacitancia aumenta más a medida que se aproxima a 0 V desde un VDS positivo, pero cuando pasa de 0 V a un VDS negativo, la capacitancia comienza a caer nuevamente (hasta que comienza a tener problemas con el diodo parásito en el interior el MOSFET).
Es el mismo problema de documentación con muchos diodos Varactor (varicap), excepto que algunos proveedores muestran la tensión de polarización por debajo de 1 voltio según BB212: -
Imagenadquiridade
Debido a que el rendimiento de un varactor tiene que ver con el cambio en la capacitancia en comparación con el voltaje aplicado, algunos fabricantes proporcionarán este tipo de información porque es algo fundamental para la característica principal del dispositivo. Sin embargo, para los MOSFET, el cambio en la capacitancia en comparación con el VDS es una consideración secundaria en la mayoría de las aplicaciones, por lo que el fabricante no necesariamente se pondrá a bordo para cubrir operaciones de menos de 1 voltio.
Esta página de intercambio de pila muestra la varicap BB109: el control el gráfico de voltaje frente a capacitancia va tan bajo como 0.3 voltios y, eso es casi tan bueno como lo es para dispositivos cuya función principal es actuar como un capacitor variable controlado por voltaje. Habiendo dicho que la característica MV2109 va tan bajo como 0.1 voltios.
Por lo tanto, realmente se trata de que el proveedor MOSFET documente la mayoría de las características de la manera más razonable posible para la mayoría de las aplicaciones probables.
¿Cuál es el cambio en Crss con una variación de VDS de cero a 1V?
Tomaré una suposición informada de que existe una buena solución si pudiera explicar su aplicación un poco más.
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