Información inusual del diodo PN

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Hay varias variables como: concentración de deficiencias / agujeros de electrones o electrones ( n , p ) en p / n-tipo de semiconductor, concentración de donante o aceptor átomos ( N d, N a) en semiconductores dopados, longitud de pn-juction de diodo, electrón o agujero constante de movilidad ( D n, D p), etc.

Pero todas estas variables son inalcanzables para mí. Al principio pensé que al menos las hojas de datos deberían incluir tales datos, pero no lo hacen. Sólo los que se usan prácticamente.

¿Dónde / cómo puedo acceder a este tipo de información?

  • BTW: Todas estas variables son importantes para el cálculo de la velocidad promedio de electrones / agujeros ( v ), el flujo actual ( strong ), la densidad de la corriente ( J ), que son cálculos más teóricos. También hay otros más prácticos, como la capacitancia de la unión (importa cuando la polarización inversa) y la capacitancia de difusión (importa cuando la polarización directa).
pregunta Keno

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