Para un transistor aproximadamente ideal (η = 1) a una corriente del emisor de = 1μA, el voltaje del emisor de la base es = 0.60V. ¿Cómo puedo calcular cuánto aumenta el voltaje del emisor de base si la corriente del emisor aumenta a 100 μA?
Soy consciente de las fórmulas que relacionan las corrientes en la base, el emisor y el colector, así como la relación entre alfa y beta, pero ¿cómo puedo relacionar esto con el voltaje del emisor de la base?
Para responder a su pregunta, necesita la conocida ecuación de Shockley que describe la relación corriente-voltaje para una unión pn: Ic = Is * exp [(Vbe / Vt) -1] .
(a) Si conoce un par de valores (Vbe, Ic) puede encontrar la corriente de saturación correspondiente Is. A partir de esto, es fácil encontrar cualquier otro par de valores (este es el principio en el que se basan las informaciones tal como aparece en la respuesta de analogsystemsrf ).
(b) Debido a que la corriente de saturación tiene tolerancias muy grandes (esta es la razón de las tolerancias beta grandes) no es posible encontrar el voltaje Vbe correspondiente, con suficiente precisión, para una corriente de colector dada Ic (y BJT particular tipo o parte).
Esta incertidumbre es la razón para utilizar una resistencia de emisor de estabilización RE (degeneración del emisor, realimentación de voltaje). Esta estabilización reduce la sensibilidad de la corriente del colector frente a estas tolerancias, así como la influencia de la temperatura.
El Veb aumenta 0.026 voltios por cada factor de 2.718 .. (e) aumento de corriente.
O 0.018 voltios por cada factor de aumento de 2: 1; Las referencias de intervalo de banda utilizan este hecho, a menudo ocultas detrás de 0.036 v para 4: 1 o 0.054 voltios para 8: 1.
O 0.058 voltios por cada factor de 10: 1.
O 0.58 voltios para un aumento de 10 ^ 10, como 1 picoAmp a 10milliAmp.
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