Actualmente estoy trabajando en un problema que quiere que obtenga una ganancia de 500 con una combinación de CG CS CD o amplificadores de cascode o solo una topología. El Vout alimentará una carga resistiva de 50 ohmios. Necesito un paso en la dirección correcta sobre qué topología usar.
VDD = 3v VDSTAT = 0.25 V AV = 500
Actualización ::::
Por lo tanto, solo he podido obtener una ganancia de 400 y no puedo obtener mucho más. Cualquier idea sobre dónde voy mal. Aquí está mi simulación HSPICE. la longitud máxima y el ancho de las mosfets es de 10um y el mínimo es de 0.15um.
Vdd 2 0 DC 3
Vb 3 0 DC 1.75
Vin 5 0 DC 1.25
X1 1 5 0 0 nmos_ee435 width=4u length=10u
X2 1 3 2 2 pmos_ee435 width=8u length=10u
.SUBCKT nmos_ee435 d g s b width=4u length=10u
M1 d g s b nmos_internal W='width' L='length'
+ AD='width*2e-6' AS='width*2e-6' PD='4e-6+width' PS='4e-6+width'
.MODEL nmos_internal NMOS LEVEL=1 uo=400 vto=1 lambda='1e-6/length*0.1'
+ tox=6.903n gamma=1 phi=0.6 cgdo=0.5n cgso=0.5n cj=0.001 mj=0.5 pb=1
+ cjsw=0.1n mjsw=0.5 capop=0
.ENDS
.SUBCKT pmos_ee435 d g s b width=8u length=10u
M2 d g s b pmos_internal W='width' L='length'
+AD='width*2e-6' AS='width*2e-6' PD='4e-6+width' PS='4e-6+width'
.MODEL pmos_internal PMOS LEVEL=1 uo=200 vto=-1 lambda='1e-6/length*0.1'
+ tox=6.903n gamma=1 phi=0.6 cgdo=0.5n cgso=0.5n cj=0.001 mj=0.5 pb=1
+ cjsw=0.1n mjsw=0.5 capop=0
.ENDS
.OP
.tf V(1) Vin
.END