¿Cómo mejorar la resistencia de EEPROM?

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Tengo un área de scratch de 1KB en mi EEPROM de 16KB en la que solo uso 24 bytes. El resto de los 1KB se desperdician. Estoy tratando de modificar mi programa para usar los bytes restantes (1024-24) con el fin de mejorar la resistencia de la EEPROM.

He pensado en tener una celda que contenga la dirección de la sección de 24 bytes actualizada más recientemente. Si reinicio el sistema, esto le indica al programa dónde debe comenzar. Sin embargo, esto sigue teniendo el mismo problema porque escribiré la celda de la dirección una y otra vez. Debido a esto, esa celda puede dañarse y perderé la ubicación de la memoria.

¿Hay formas mejores de superar este problema?

    
pregunta Dipesh Kayastha

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