Determinación del voltaje del emisor de base en un BJT CE con base suministrada por una fuente de corriente constante

La pista está en la corriente de saturación inversa de 0.1 fempto amperios. Es (sospecho) que te está llevando a utilizar el modelo ebers-moll de un BJT: -

NovoyaaplicaringenieríainversaaestaecuaciónpararesolverVbe(dadaunacorrientedecolectorde12.5mA)perosiconectolarespuestade0.84voltios,obtengounacorrientedecolectorde26.23mA.

Siconecto0,83voltios,obtengo17,7mA,porloquequizáselautordelapreguntahayasimplificadodemasiadoonohayaproporcionadoalgunainformaciónqueseavital,comolatemperaturaambiente.

Entonces,siIc=0.0125amperiosobtengoqueVbeseade0.82voltios.

Talvez(?)tambiénlaresistenciadedegeneracióndelemisorinterno(\$r_e\$)sehaincluidoenlarespuesta:-

Con una corriente de colector de 0.0125 amperios \ $ r_e \ $ es aproximadamente 2 ohmios y suponiendo que la corriente del emisor = corriente de colector, la base deberá ser 25 mV más alta, lo que hace que Vbe alcance los 0.845 voltios.

  

También quiero saber cómo se llama este tipo de configuración de sesgo.

No se trata de una configuración de sesgo real utilizada en la práctica: la corriente inyectada en la base (como se muestra) podría provenir de una fuente de voltaje en serie con una resistencia, pero esto generaría una imprecisión en la forma en que trata el problema.

Suponga que el transistor se comporta como un diodo

Es decir, Vbe 1nA 0.7 - 6 * 0.06 = 0.7 - 0.36 = 0.34 voltios

1uA 0.7 - 3 * 0.06 = 0.7 - 0.18 = 0.52 voltios

1mA 0.7volts (asumido)

10mA 0.7 + 0.06 = 0.76 voltios

Obtener la corriente del colector de Beta es 12.5mA. Ignora la corriente de base o no. Esta solución de ecuación es (ln (0.0125A / 1e-16A)) * 0.026V = 0.84V Puede ignorar restando la una cuando resuelva la ecuación de diodo. Supongo que Vt es 0.026V.