Estaba leyendo un texto en dispositivos de microondas cuando me encontré con estos dispositivos. La explicación en el libro era muy complicada y difícil de entender. ¿Podría alguien explicarme?
Si lo encuentra demasiado tedioso, indíqueme algunas referencias confiables en Internet.
Para ser breve, hay muchas veces en que alguien necesita un oscilador de frecuencias muy altas. Los enfoques habituales realmente no encajan porque las frecuencias son frecuentemente altas. Por ejemplo, los transistores dejan de funcionar debido a todas las capacidades parásitas que no le interesan a las bajas frecuencias. Ahí es donde todos estos diodos se vuelven útiles: Gunn, IMPATT, TRAPATT y BARRIT.
No sé si te preocupan sus principios de trabajo a un nivel muy bajo, por lo que te explicaré solo lo básico. IMPATT y TRAPATT generalmente están hechos de silicio y su característica voltampérica generalmente parece un diodo habitual. ¿Qué es diferente entonces? Bueno, normalmente están conectados a la inversa, por lo que los efectos en el sesgo inverso podrían explotarse, como el desglose por avalancha. Un campo eléctrico muy fuerte y la estructura del diodo hacen que genere ondas sinusoidales de alta frecuencia. La generación es posible debido a la resistencia negativa. Ambos tienen una eficiencia bastante alta pero son ruidosos.
Para agregar más, un buen análogo sería usar diodos Gunn. Por lo general, tienen una peor eficiencia que podría mejorarse con un resonador (alrededor del 20 por ciento) y no son ruidosos. El diodo de Gunn es bastante único ya que no tiene una unión pn. Suele ser un diodo n + nn +. En materiales como GaAs, la velocidad de los electrones aumenta a medida que la intensidad del campo eléctrico aumenta solo hasta cierto punto y luego disminuye. Esto lleva al diodo a una región de resistencia negativa donde puede ocurrir la generación de frecuencias muy altas.
Podrías verificar las principales diferencias técnicas aquí .