Para determinar la concentración de dopaje de impureza requerida en un material semiconductor

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Aquí hay un ejemplo resuelto. Y tengo una duda sobre su solución.

¿Cuál es mi duda?

Básicamente, debemos encontrar la concentración mínima de donante requerida para cumplir con una especificación determinada según la cual, en un material de tipo n, la concentración del portador intrínseco no debe aportar más del 5 por ciento de la concentración total de electrones. Entonces, básicamente en la solución, el autor ha considerado que no (concentración total de electrones) es igual a 1.05 Nd, es decir, que Nd (concentración de donante) contribuye con el 95.23 por ciento de la concentración total de electrones.

Pero no es un mal comienzo. Debido a que la relación entre no y ni y Nd no es una relación lineal.

También, si vemos la solución final. Y calculando no (= 1.05Nd) a partir de ella, encontramos que aunque la contribución de Nd a la concentración total de electrones es de hecho 95.23 por ciento, pero que no hace la contribución de ni a 5 por ciento o menos. De hecho, está llegando a ser igual al 20 por ciento. Ayuda.

    
pregunta user158942

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