Puerta lateral alta MOSFET conduciendo sin conductor

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Estoy construyendo una forma de puente H IRF3205 N MOSFETS para conducir una bobina de TX para la transferencia de energía inalámbrica. Quiero hacer el cambio de lado alto sin un controlador, en lugar de eso estoy usando una configuración bootstrap algo similar. Para las pruebas utilizo una carga activa de 10R a 12 Vcc. La frecuencia de conmutación es de 100 KHz.

Funciona,peroelproblemaesquelosflancosascendentesparalapuertadeQ1sonrealmentelentosdebidoalaresistenciadelapuertaR1.

EnelazulestáVGateenrelaciónconelsueloyelrojoeslaseñaldelmicrocontrolador.SisereduceR1,eltiempodesubidadelbordemejoraconsiderablemente,peroaexpensasdeunagrancantidaddecalentamientodeR1yD1porqueseconducencuandoQ5está'abierto'.¿Cuálseríaunesquemaeficienteparahaceruncircuitodeconduccióndecompuerta'eficienteenenergía'y,comonotengomuchaexperienciaenlascausas,¿quépodríahacer? ¿Cuálessonlosmotivosdeltimbrecuandosedescargalapuerta?

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Hiceestetipodecontroladordepuerta. ¿Funcionaría? Me gustaría tener no más de 300 nS de aumento / retraso, por lo que necesitaría alrededor de 700 mA de corriente de carga de compuerta.

    

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