En el circuito que se da a continuación tenemos que encontrar el voltaje de salida.
Nosedanespecificacionessobreningunodelostransistoressoloquetodosloscomponentesson"discretos". ¿Podemos averiguar cuánta corriente está pasando a través de qué BJT? Además, ¿cómo saber cuánto voltaje se cae a través del MOSFET, es decir, V DS ? ¿Cuál es el procedimiento para hacer el análisis de tales circuitos?
La corriente a través de cada transistor depende de la impedancia de carga y del Vbe correspondiente, pero puede variar de 0 a 4 mA con la suma de ambos que no exceda de 4 mA.
{asumiendo una pregunta del mundo real, cambie Nfet a Pfet}
De lo contrario, Nfet está apagado y el diodo del cuerpo cae 0.7 no se muestra a Vout con Q1 = 4mA Vg1 = 2V.
Dado que Vg está limitado a entre 10V y 2V con una diferencia de 8V, para el mejor regulador, Vgs (th) debe estar alrededor de 1/3 de 8V o 2.7 como máximo, así que use Vt o Vgs (th) ~ 1V. Entonces RdsOn determinará qué carga puedes manejar.
Como no hay protección contra cortocircuitos, es posible que desee agregar un sentido actual para limitar la unidad Vgs.
La regulación de voltaje no es tan buena como la LDO aquí debido a la ganancia BJT del amplificador diferencial de una sola etapa. y mayor Iq debido a sesgos R's
También debido a que la relación R es 2: 1, el Vout es (2 + 1) * Vref (2.5) = 7.5V fuera idealmente pero con un error de polarización más cercano a 7.7V
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