Debe diseñarse un circuito de polarización de CC (cct) de un diodo PIN que termina una antena parche de microstrip parásita. Por parásito me refiero a que el campo EM sería inducido en él por un elemento de parche cercano que se encuentra conectado a la fuente de RF. Cuando este diodo está polarizado hacia adelante, la antena del parche se cortocircuita con su plano de tierra (tierra de RF) a través de la resistencia en serie del diodo. Cuando el diodo tiene polarización inversa, ofrece capacitancia y, por lo tanto, aísla el parche de su plano de masa de RF. De los dos circuitos de polarización que se muestran en la figura, ¿cuál es el correcto, cct 1 o cct 2, y por qué?
En cct 1, no se ha utilizado ningún capacitor de bloqueo de CC después del diodo PIN y, por lo tanto, DCgnd y RFgnd son comunes (conectados / cortocircuitados). En el cct 2, el capacitor de bloqueo de CC aísla el DCgnd y el RFgnd. Tenga en cuenta que mi frecuencia de operación es de 15 GHz y quiero evitar los elementos agrupados lo más posible. Implementaría el estrangulamiento de RF combinando una línea de alta impedancia con un talón radial.