Cambio del voltaje del umbral de la compuerta en IGBT

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Quiero dividir un chip semiconductor en dos secciones y luego construir dos voltajes de umbral de puerta (Vth) diferentes para las secciones. ¿Cómo puedo hacerlo? Creo que debería hacerse por métodos (tal vez manipulando el material) que no sea la temperatura. Porque tenemos una distribución de temperatura casi uniforme en el chip. ¿Qué piensas?

    
pregunta Mohsen

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