¿Cómo calcular los límites de voltaje en el transistor n-MOS?

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He encontrado dos formas diferentes de calcular el \ $ V_d \ $:

  • En la primera, se considera que el punto de polarización de DC no está afectado por AC, por lo que, por superposición, $$ V_d = V_ {d; V_ {AC} = 0} + V_ {d; V_ {DC} = 0} $$, donde $$ V_ {d; V_ {AC} = 0} = V_ {dd} - I_ {d; DC} \ veces R_d $$ y $$ V_ {d; V_ {DC} = 0} = -2k (V_ {gs} -V_ {t}) \ times V_ {gs; {AC}} \ times R_d $$
  • En la segunda, primero se calculan los valores máximo y mínimo del voltaje del sensor, y luego el máximo y mínimo \ $ V_d's \ $ se calculan como $$ V_ {d} = V_ {dd} - I_ {d ; DC} \ times R_d $$, donde $$ I_ {d; DC} = k (V_ {gs} -V_ {t}) ^ 2 $$

Ambos métodos dan resultados ligeramente diferentes. ¿Cuál es más correcto?

    
pregunta Bee

1 respuesta

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Ambos son correctos pero para diferentes condiciones. el primero es la ganancia lineal con CA y CC, mientras que el segundo se usa como un interruptor con la resistencia que depende de la diferencia entre Vgs y el umbral, Vt = Vgs (th) Normalmente como un conmutador Vgs > = 2.5Vt para RdsOn bajo

    
respondido por el Tony EE rocketscientist

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