Tengo la siguiente pregunta: ¿cómo se relaciona la ganancia de voltaje de CC en los transistores (relación gm / gd) con la ganancia de RF? ¿Se puede esperar una buena ganancia de RF de un transistor con una buena ganancia de voltaje de CC? ¿Alguien puede recomendar una buena referencia?
Existe alguna relación: en un circuito de un solo polo, más ganancia resulta en más ancho de banda de ganancia. En RF tratamos de desconectar las capacidades principales, y el problema principal se convierte en la resistencia de la puerta, que forma una red RC en la entrada. Esto limitará la frecuencia máxima a la que todavía podemos lograr ganancia de potencia. Cuando alcanzamos días de frecuencias extremadamente altas (decenas a cientos de GHz), tal vez incluso semanas de trabajo de diseño se dediquen a optimizar la conexión de los terminales del transistor en el chip a los inductores en el chip. Queremos tener una red de alimentación lo más grande posible para reducir la resistencia en serie, pero al mismo tiempo aumentará la capacitancia.
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