¿Cómo puedo simular una estructura hetero en un módulo semiconductor para obtener las características I-V (estructura heterogénea de grafeno y silicona)? ¿Cuál es la condición límite para simular esto en 3D (Comsol Multiphysics)? ¿El modelo Graphene es el mismo en 2D y 3D en el módulo semiconductor y en el estudio estacionario? Gracias