Cambios de limitación de corriente del transistor NPN de la carga del colector a la carga del emisor

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como parte de un proyecto de audio en el que he estado trabajando, he estado midiendo el consumo de corriente de un amplificador de clase A que maneja un altavoz de 4 ohmios de 5 vatios (señal de onda cuadrada).

Extrañamente, me doy cuenta de que esto:

Dibujamásactualqueesto:

¿Por qué es eso?

    
pregunta thegrinch

2 respuestas

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El primer circuito se saturará a aproximadamente 0.2V de tierra, por lo que su voltaje a través del altavoz es VDD-0.2V. El segundo, si la base se impulsa tan alto como VDD, tendrá un nivel de salida de VDD-0.7V en el mejor de los casos. Podría ser menor si la entrada es inferior a VDD o si su resistencia base es demasiado alta.

    
respondido por el Cristobol Polychronopolis
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En su primer circuito, la señal es amplificada por voltaje por Vin * hFE del transistor, hasta que alcanza un nivel que se acerca a Vdd a tierra, causando distorsión. Vbe nunca puede ser más de 0.7 voltios.

En su segundo diseño no hay amplificación de voltaje, pero la corriente de la señal aumenta. Aparecerá en los terminales de los altavoces menos 0.7 voltios, la caída Vbe. El volumen de salida será mucho menor, pero se saturará más rápido a medida que la caída de Vbe se resta de la oscilación de voltaje a través del altavoz.

Tenga en cuenta que si su fuente de señal tiene una impedancia relativamente alta, como en un control de volumen, ambos diseños le darán un aumento en el nivel de sonido. Ambos diseños aprovechan los transistores hFE. El primer diseño puede saturar el transistor completamente ENCENDIDO, por lo que se consume más corriente.

En el segundo diseño, el altavoz no permitirá que el emisor alcance cero voltios, incluso con una señal fuerte. Este modo causará distorsión antes, ya que tiene un rango de voltaje de solo tierra a Vdd -0.7 voltios menos la caída de Vce.

    
respondido por el Sparky256

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