Tengo una pregunta para la tarea de la siguiente manera: Si un JFET que tiene un valor especificado de r d = 100 kΩ tiene una ganancia de voltaje ideal de A v (FET) = -200, ¿Cuál es el valor de g m ?
Hasta donde sé, la fórmula más cercana para g m que relaciona A v yr d es A v = -g m (r d || R D ) pero R D no se proporciona en la pregunta. Usaría R D = 0Ω, pero eso daría como resultado 1 / ( 1 / 100kΩ ) + ( 1 / 0Ω ) , que no está definido. ¿Hay alguna otra forma de hacer esto?
Creo que lo descubrí.
Ya que estamos hablando de un JFET aislado, A v = V DS / V GS
Desde I D = g m * V GS , podemos reorganizarlo para V GS = I D / g m y como V GS siempre es negativo, podemos hacer que V GS = - I D / g m
por último, ya que V DS = I D * r d podemos insertar estas 2 ecuaciones en la primera para obtener A v = I D * r d / - I D / g m
reorganizar da A v = -r d * g m que podemos insertar en -200 y 100kΩ para obtener ag m = 2mS.
Lea otras preguntas en las etiquetas jfet homework transconductance