¿Cómo polarizar MOSFET para encontrar la simulación del parámetro S?

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Quería usar un modelo BSIM4 de NMOS en mi circuito. Obtuve el punto de polarización de CC correcto, ciertos VDS, VGS e IC. Pero tengo problemas para medir los datos de parámetros S para amplificadores MOSFET. Simulé circuitos en BJT y funciona bien. ¿Hay algún circuito genérico para MOSFET? No estoy seguro de dónde colocar el bloque de CC y la alimentación de RF con la polarización adecuada en MOSFET (NMOS) para poder medir los datos de los parámetros S. Terminé con el circuito que se muestra a continuación, tiene datos no válidos para los parámetros S si se mide. Cualquier sugerencia / corrección en el circuito será muy útil.

ObtengoqueelS21(dB)estáabajo,locualnoesválido:

Mis puntos de sesgo son VDS = 0.5V, VGS = 0.8V, IDS = 45.48uA y suministro VDD = 1.2V. Por lo tanto, tengo RDS (que es R1) = 15.39kohms.

    
pregunta sundar

1 respuesta

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El crédito de la respuesta va a @Bimpelrekkie.

Agregar un inductor de estrangulación de RF adicional solucionó el problema.

    
respondido por el sundar

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