Transistor como interruptor (en modo de saturación) - ¿Por qué la saturación del transistor aparece antes con el aumento de la resistencia del colector?

Esta imagen es una simulación de un transistor 2N2222 como un interruptor para cambiar la señal de E / S de 12 V a la entrada de E / S de 3.3 V compatible con MCU. La simulación se realiza en LTSPICE XVII con análisis de barrido de DC de V2 (12V) (rango: 0V a 24V)

Dos esquemas con un solo cambio. La resistencia de colector 100K (primer esquema) se cambia a 10K (segundo esquema) valor

1. Se observa que con un valor de resistencia de colector más alto, el transistor se satura en la entrada muy baja en comparación con la resistencia más baja. ¿Por qué es?

2. También la ganancia de corriente continua directa no sigue los mismos valores para ambas configuraciones (ver para 12V) a. Para el primero: IC = 32.55uA & IB = 2.89uA. hfe = IC / IB = 8.25 segundo. Para el segundo: IC = 317uA & IB = 2.54uA hfe = 124.80 ¿Por qué hay tanta diferencia en la vida con el cambio en la resistencia del colector? ¿Hay alguna relación?

3. Sé que la corriente del colector depende de la corriente base ya que un transistor es un dispositivo de corriente controlada, pero ¿por qué los cambios de corriente base con los cambios del valor de la resistencia del colector incluso si el circuito de entrada es constante?

4. ¿Cómo validar si este circuito es correcto o no para controlar el transistor como un interruptor? El propósito de este circuito es convertir señales de 12V automotrices como entrada a MCU de 3.3V.

5. ¿Hay algún circuito estándar disponible para el transistor como interruptor para la aplicación mencionada anteriormente?